Au cours des dernières heures, Samsung a dévoilé son premier module Mémoire DDR5 da 512 Go basé sur le nouveau processus Portail en métal High-K, également connu sous le nom de HKMG. DDR5, la nouvelle norme DRAM commerciale, répond aux besoins des charges de travail gourmandes en calcul et à bande passante élevée dans les applications de calcul intensif, d'intelligence artificielle et d'apprentissage automatique. Comme vous l'avez déjà remarqué, il s'agit d'une période d'actualité particulièrement riche pour le marché des composants matériels, qui verra bientôt l'entrée de NVIDIA GeForce RTX 3080 Ti e 3070 Ti.
En tant que successeur de la populaire DDR4, ce nouveau regard sur l'avenir promet de doubler les performances jusqu'à 7.200 mégabits par seconde, assez de vitesse pour traiter deux films ultra-haute définition de 30 Go en une seconde, avec la nouvelle solution HKMG qui permet de réduire les fuites de courant. La mémoire en question peut envoyer et recevoir des signaux de données deux fois au cours d'un seul cycle d'horloge et permet des taux de transfert et des capacités nettement plus élevés.
La technologie HKMG est traditionnellement utilisée dans semi-conducteurs logique, où il utilise un matériau diélectrique élevé dans la couche isolante pour réduire les fuites de courant. Dans les structures DRAM, cette couche isolante est amincie, ce qui entraîne souvent un courant de fuite plus élevé. Mais avec sa nouvelle DDR5, Samsung a maintenant remplacé l'isolation par du matériau HKMG pour non seulement réduire les pertes, mais également utiliser moins d'énergie, ce qui le rend idéal pour les centres de données où l'efficacité énergétique devient de plus en plus critique.
Le procédé HKMG a été adopté pour la première fois dans l'industrie dans le Mémoire GDDR6 Samsung est sorti en 2018 avant d'être désormais étendu à la mémoire DDR5. Samsung a déclaré qu'il avait maintenant appliqué la technologie à travers le silicium pour empiler huit couches de puces DRAM 16 gigabit pour la capacité maximale de l'industrie de 512 GB. En plus de ce module, l'entreprise échantillonnerait différentes variantes de sa famille aux clients, avec l'aide de partenaires tels qu'Intel. Voici les mots de Carolyn Duran, vice-présidente et directrice générale de la mémoire et de la technologie IO chez Intel:
Les équipes d'ingénierie d'Intel travaillent en étroite collaboration avec des leaders de la mémoire tels que Samsung pour fournir une mémoire DDR5 rapide et économe en énergie, optimisée pour les performances et compatible avec nos futurs processeurs Intel Xeon Scalable, baptisés Sapphire Rapids
