Samsung: presentó la primera DDR5 de 512 GB en un solo módulo

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Aina Martin
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En las últimas horas, Samsung ha revelado su primer módulo Memoria DDR5 da 512 GB basado en el nuevo proceso Puerta de metal High-K, también conocido como HKMG. DDR5, el nuevo estándar DRAM comercial, aborda las necesidades de las cargas de trabajo de gran ancho de banda y ávidas de cómputo en aplicaciones de supercomputación, inteligencia artificial y aprendizaje automático. Como ya ha notado, este es un período particularmente rico en noticias para el mercado de componentes de hardware, que pronto verá la entrada de NVIDIA GeForce RTX 3080 Ti e 3070 Ti.



Como sucesora de la popular DDR4, esta nueva mirada al futuro promete duplicar el rendimiento hasta 7.200 megabits por segundo, suficiente velocidad para procesar dos películas de ultra alta definición de 30 GB en un segundo, con la nueva solución HKMG que ayuda a reducir las fugas de corriente. La memoria en cuestión puede enviar y recibir señales de datos dos veces durante un solo ciclo de reloj y permite velocidades y capacidades de transferencia significativamente más altas.

La tecnología HKMG se utiliza tradicionalmente en semiconductores lógico, donde utiliza un material de alto dieléctrico en la capa aislante para reducir la fuga de corriente. En las estructuras DRAM, esta capa aislante se adelgaza, lo que a menudo resulta en una mayor corriente de fuga. Pero con su nueva DDR5, Samsung ahora ha reemplazado el aislamiento con material HKMG no solo para reducir las pérdidas sino también para usar menos energía, lo que lo hace ideal para centros de datos donde la eficiencia energética se está volviendo cada vez más crítica.

El proceso HKMG se adoptó por primera vez en la industria en el Memoria GDDR6 Samsung se lanzó en 2018 antes de extenderse ahora a la memoria DDR5. Samsung dijo que ahora ha aplicado la tecnología. a través de silicio para apilar ocho capas de chips DRAM de Gigabit 16 para la capacidad máxima de la industria de 512 GB. Además de este módulo, la empresa estaría probando diferentes variantes de su familia a los clientes, con la ayuda de socios como Intel. Estas son las palabras de Carolyn Duran, vicepresidenta y gerente general de memoria y tecnología IO en Intel:



Los equipos de ingeniería de Intel trabajan en estrecha colaboración con líderes en memoria como Samsung para ofrecer una memoria DDR5 rápida y energéticamente eficiente, optimizada para el rendimiento y compatible con nuestros futuros procesadores escalables Intel Xeon, con nombre en código Sapphire Rapids.


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